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环球UG充值:两泰半导体巨头同时对准NAND规模 存储器观念股一览

  两泰半导体巨头同时对准NAND规模 存储器观念股一览

  据媒体报道,存储器两大巨头三星、SK海力士克日对准NAND Flash事业,展开机关投资。

  据韩媒动静,三星平泽园区P2,日前开始执行NAND产线投资。别的,三星西安NAND厂二期总约150亿美元投资,第一阶段70亿美元的25个项目落成,第二阶段80亿美元投资,估量2021年落成。

  三星正式启动平泽P2的NAND产线建树,5月已着手成立无尘室,打算2020年下半年投产。SK海力士克日同样努力机关NAND事业,而且公布将采纳超品格计谋,即强化技能实力,扭转今朝市场劣势,缩短落伍差距。

  别的,SK海力士日前订立2020年成长愿景,

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,包罗在NAND规模展开快速追赶。SK海力士已进入堆叠128层NAND量产,今朝正努力开拓堆叠176层产物。

  按照WSTS统计,存储器占集成电路市场的36.1%,高于逻辑、模仿和微处理惩罚器份额。DRAM规模泛起寡头把持名堂,三星、海力士、美光共占比高达95%。

  个中NAND Flash占存储器细分规模的44%,且行业会合度极高,今朝产能主要会合在三星、SK海力士、美光等。业内人士暗示,三星、SK海力士两大巨头努力机关投资,望驱动产业链公司受益。

  国产替代迫在眉睫

  DRAM规模泛起寡头把持名堂,存储器国产化迫在眉睫。

  6月20日,国度存储器基地项目二期开工建树。国度存储器基地项目于2016年12月30日开工,打算分两期建树3DNAND闪存芯片工场,总投资240亿美元。一期主要实现技能打破,建成10万片/月产能,二期筹划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

  国信证券欧阳仕华指出,存储器产业从趋势上看,DRAM和NAND均处于技能快速打破阶段,估量下半年DRAM1Z制程以及NAND新代产物将会量产。国产内存颗粒出产的内存模组产物已经开始上市销售,显示海内存储芯片产业正处于0到1的打破阶段。

  东莞证券魏红梅认为,5G手机换机潮和IDC建树进级对存储设备所形成的需求端具有较高确定性,有望发动NAND Flash需求迎来新一轮增长。   南边财产网微信号:南边财产网

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